宏芯宇推出全球首颗40nm的USB接口存储控制芯片

发布者: 时间:2021-05-27 浏览量:1920    

随着 5G 商业化的逐步落地,云计算、IDC业务的拉动以及汽车、物联网领域对存储芯片的需求,PC 端、服务器、手机及其他消费电子和新兴产业对存储芯片的需求增长明显。在信息存储应用领域,大量涵盖存储卡、U盘/移动硬盘、固态硬盘乃至大数据存储设备和服务器高速总线的核心控制器芯片,都需要存储控制器来完成相关的存储功能。

常见的USB接口可以用来连接移动硬盘、U盘、键盘、鼠标,也可以用来连接手机及各类USB小产品等等,可以说,这是当前IT产品中最通用的接口设备,不过随着人们对速度要求的提升,USB2.0已经渐渐不能满足需求。


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宏芯宇自主研发的全球首颗40nm的USB接口存储控制芯片HG2319,采用USB3.2技术,实现了闪存存储速度创新,USB 2.0的最大传输带宽为480Mbps约60MB/s,而USB 3.0的最大传输带宽高达5.0Gbps(即640MB/s),一举将速度提升10倍,满足了人们高速传送高品质影像档案的速度要求,省电节能、更高兼容性、成本更低。采用BCH 90 Bit ECC纠错引擎,相比同业采用的72bit更加强化存储容错率,等同于增加闪存盘产品稳定性与寿命,透过领先的研发技术,HG2319目前是同业产品中最小面积的设计,成本领先同业。


  • HG2319产品优势
    自主固件优化,产品速度表现更佳;
    四层板设计,用料足,产品更稳定;
    电子零件用料少,节省成本;
    符合Rohs环保要求。


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无论是消费级或工规级市场,芯片未来技术走向都是从提高性能、降低成本、降低功耗等方面进行创新,宏芯宇电子致力于持续为全球用户提供高品质、创新性的存储产品和解决方案,整合行业资源,立足存储,放眼世界,秉承着“成为全球领先的存储芯片及解决方案提供商”的企业愿景继续向前,用“芯”服务社会!


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