本届“湾高赛”自2021年5月启动以来获得全国创新主体的高度关注，共征集到902个来自全国各地的专利项目参赛。经过初赛、复赛、决赛的层层角逐，宏芯宇电子“高速存储控制芯片项目”一路过关斩将，喜获外观设计和集成电路布图设计组优秀奖。

宏芯宇电子高速存储控制芯片HG2319项目采用40nm制程工艺，是国内首颗40nm工艺制程的USB主控芯片，具有die尺寸小，读写速度快，稳定性好，耐久性高，性价比高等优势，市场反馈好，客户满意度高，并且能够提供从主控芯片到固件方案，再到电路板设计、闪存颗粒的配对等一整套的解决方案，还可根据采购厂商的个性化需求进行定制化的服务。

据介绍，“湾高赛”是粤港澳大湾区知识产权合作发展的重大品牌活动，旨在推动各类创新资源要素聚集粤港澳大湾区，吸引高水平的创业团队和高成长性专利技术项目在粤港澳大湾区落地，助力推动粤港澳大湾区高质量发展。

宏芯宇电子长期注重技术研发与自主创新，并且高度重视对知识产权与核心技术的保护工作，致力于实现本土存储芯片的技术突破。公司自主开发了多种新型产品，并掌握了多项核心技术，目前这些核心技术已成熟应用于产品的批量生产中，得到了市场客户的广泛认可。

未来，宏芯宇电子将通过持续的研发创新、制程升级和性能迭代，保持现有产品的性能领先和竞争优势，加大对智能硬件应用、数据中心、汽车电子等新兴领域的布局和开拓。同时，以市场应用为导向，以技术研发为驱动，协同创新，让技术和市场充分交融，开发具有特色的存储产品，创造行业价值，构建存储生态。